IPD30N03S4L14 datasheet
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>> IPD30N03S4L14 MOSFET datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
IPD30N03S4L14
库存数量:
可订货
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET
IPD30N03S4L14 PDF下载
制造商
Infineon Technologies
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
30 V
闸/源击穿电压
1 V
漏极连续电流
30 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
13.6 mOhms
配置
最大工作温度
+ 175 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
IPD30N03S4L14
IPD30N03S4L-14
IPD30N06S215
IPD30N06S2-15
IPD30N06S215ATMA2
IPD30N06S223
供应商
公司名
电话
深圳廊盛科技有限公司
18229386512
李小姐
深圳市众芯微电子有限公司
0755-83208010
陈小姐
上海鑫科润电子科技有限公司
18521007236
鑫科润
北京耐芯威科技有限公司
010-62962871
刘先生
北京京北通宇电子元件有限公司
18724450645
吴
深圳市莱特斯电子科技有限公司
19176527791
江先生
深圳市深科创科技有限公司
0755-83247290
吴先生/吴小姐/朱先生
深圳市硕赢互动信息技术有限公司
朱科
深圳市泽芯微科技有限公司
0755-82730283
柯小姐
标准国际(香港)有限公司
0755-88607458
朱小姐
IPD30N03S4L14 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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